Saturs
Samsung ir sācis masveidā ražot vienas terabaita eUFS 2.1 krātuvi, šodien paziņoja uzņēmums. Paziņojums nāk pēc baumām, ka uzņēmums ieviesīs Galaxy S10 variantu ar terabaitu krātuves. Lieljaudas zibatmiņas krātuvē tiek izmantota tāda pati fiziskā telpa kā iepriekš paziņotajā 512 GB zibspuldzē, kas atrodama augstākās klases Galaxy Note 9 versijā.
Uzglabāšanas pamatā ir Samsung uzlabotā zibatmiņas tehnoloģija V-NAND, kurai ir paaugstināts blīvums, zemākas enerģijas prasības un parasti lielāks ātrums. Tas izmanto atsevišķu NAND elementu vertikālu sakraušanu, kas salīdzinājumā ar parasto NAND horizontālo slāņu izvietojumu ir daudz efektīvāka.
Ko lietotāji var sagaidīt?
Kaut arī Samsung apgalvo, ka uz eUFS 2.1 balstītā krātuve var sasniegt secīgus lasīšanas ātrumus līdz 1000 megabaitiem sekundē, jūs diez vai sasniegsit šo numuru reālajā lietošanā. Nejaušs ātrums ir svarīgākais faktors, un sākotnējie Samsung publiskotie skaitļi atklāj, ka arī tie ir diezgan uzlabojušies.
Nejaušiem ierakstīšanas ātrumiem it īpaši būtu jāpalīdz iespējot tādas lietojumprogrammas kā nepārtraukta fotografēšana ar augstu kadru. Līdz šim lielākajā daļā tālruņu ir ierobežota tikai dažu sekunžu augsta kadru uzņemšanas videofilma. Samsung saka, ka lielāks lasīšanas un rakstīšanas ātrums jaunajā V-NAND balstītajā 1 terabaitu atmiņas risinājumā būs pietiekams, lai nodrošinātu nepārtrauktu, ilgtermiņa video ierakstīšanu ar ātrumu 960 kadri sekundē.
Zibatmiņas krātuves ražošana ir sākusies Samsung rūpnīcā Pjeongtaekā, Korejā, un mēs domājam, ka sāksim dzirdēt par tālruņu palaišanu ar lielas ietilpības krātuvi MWC. Ņemot vērā iepriekšējās spekulācijas un Galaxy S10 apstiprināto izlaišanu 20. februārī, pastāv liela iespēja, ka krātuve tiks iekļauta šī klausules versijā.
Ko jūs domājat par terabaitu atmiņas saglabāšanu tālrunī? Vai jums ir pietiekami daudz informācijas nesēju, lai attaisnotu lielo ietilpību, vai arī jūs esat pieņēmis mākoņu nākotni?
