Samsung Electronics ir paziņojis par masveida ražošanu, izmantojot nozares pirmo 512 GB iegulto Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 atmiņas risinājumu.

Uzņēmums šodien paziņojumā presei sniedza paziņojumu šodien, atklājot, ka eUFS 3.0 nodrošina divreiz lielāku lasīšanas ātrumu nekā eUFS 2.1 un vairāk nekā pusotras reizes pārsniedz rakstīšanas ātrumu.

Samsung sacīja, ka jaunais risinājums ir “četras reizes ātrāks” nekā SATA cietvielu diskdziņi (SSD), “20 reizes ātrāks” nekā tipiskās microSD kartes, un tas ļaus premium klases viedtālrunim aptuveni trīs sekundēs pārsūtīt “Full HD filmu uz datoru”. . ”

Šī tehnoloģija ir iestatīta tā, lai tā nonāktu nākamā paaudzes viedtālruņos, ieskaitot gaidāmo Samsung Galaxy Fold.

Šie ir īpaši iespaidīgi skaitļi, jo Samsung tikai pirms mēneša izlaida eUFS 2.1 risinājumu, kas bija uz pusi ātrāk; vairāk nekā četrus gadus mēs neesam redzējuši tādu paaudzes lēcienu Samsung iekšējās atmiņas tehnoloģijā. Samsung pieprasa, lai secīgais lasīšanas ātrums tiktu dubultots ar eUFS 2,1 līdz 2100 MB sekundē un jaunu ierakstīšanas ātrumu līdz 410 MB sekundē - (skat. Tabulu zemāk).

eUFS 3.0 sniegs augstākās klases mobilajiem produktiem nozīmīgas priekšrocības dažos mobilās veiktspējas aspektos (piemēram, failu pārsūtīšanā, lietotņu instalēšanā, piekļuvei ierīces failiem un citur) salīdzinājumā ar konkurējošajiem produktiem, taču tas nav vienīgais neseno labo ziņu avots viedtālruņa atmiņa.

Tieši vakar tika paziņots par MicroSD ekspress kartēm, kas nodrošina teorētisko failu pārsūtīšanas ātrumu līdz 985 MB sekundē. Ierīces, kas savienotas pārī ar vienu no šīm, un Samsung jauno eUFS risinājumu, varētu kļūt par veiktspējas briesmoni.

Gan 512 GB eUFS 3.0, gan 128 GB eUFS 3.0 risinājums tiks palaists vēlāk šajā mēnesī, kamēr Samsung saka, ka gada otrajā pusē tiek plānoti 1 TB un 256 GB modeļi. Paziņojiet mums, ko jūs domājat par notikumu attīstību komentāros.